可控硅、整流晶閘管RC阻容吸收電路的計算

電容的選擇：

C=（2.5-5倍）×10的負8次方×IF
1F=1000Uf 1Uf=1000nF 1Nf=1000pf
If=0.367Id
Id-直流電流值

如果整流側采用500A的晶閘管（可控硅）可以計算
C=（2.5-5）×10的負8次方×500=1.25-2.5F 選用2.5F，1kv 的電容器

電阻的選擇：

R=（（2-4） ×535）/If=2.14-8.56 選擇10歐
PR=（1.5×（pfv×2πfc）的平方×10的負12次方×R）/2Pfv=2u（1.5-2.0）
u=三相電壓的有效值

RC的時間常數一般情況下取1~10毫秒。

小功率負載通常取2毫秒左右，R=220歐姆1W，C=0.01微法400~630V。

大功率負載通常取10毫秒，R=10歐姆10W，C=1微法630~1000V。

R的選取：小功率選金屬膜或RX21線繞或水泥電阻；大功率選RX21線繞或水泥電阻。

C的選取：CBB系列相應耐壓的無極性電容器。

看保護對象來區分：接觸器線圈的阻尼吸收和小于10A電流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范疇；接觸器觸點和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范疇。