測量晶閘管的直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO），反向擊穿電壓V（BR）等參數(shù)

晶閘管的伏安特性如圖1所示。測正向特性時，陽極A接電源正極，陰極K接電源負(fù)極，僅有很小的漏電流，由于門極未加觸發(fā)信號，IGT=0，故晶閘管關(guān)斷，對應(yīng)于曲線上OA一段。當(dāng)正向電壓達(dá)到并超過直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）時，晶閘管被正向擊穿，進(jìn)入負(fù)阻區(qū)，對應(yīng)于虛線AB；*后達(dá)到低阻區(qū)BC，通態(tài)電流IT迅速增大，晶閘管導(dǎo)通。IH是維持電流，它表示讓晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需*小電流。

晶閘管的直漢轉(zhuǎn)折電壓V（BO）可達(dá)幾百伏，甚至上千伏。手冊中通常僅給出正向斷態(tài)峰值電壓VDRM，一般規(guī)定：

VDRM= V（BO）－100V

實際上只需在門極加上合適的觸發(fā)信號(正向電壓或正向脈沖)，即可使晶閘管在低壓條件下導(dǎo)通。門極的作用就是降低直流轉(zhuǎn)折電壓，使晶閘管容易導(dǎo)通，實現(xiàn)可控整流。

測反向特性時，陰極K接電源正極，陽極A接電源負(fù)極。此時晶閘管不導(dǎo)通，只有很小的反向漏電流，對應(yīng)于高阻區(qū)OD。當(dāng)反向電壓達(dá)到并超過反向擊穿電壓V（BR）時晶閘管反向擊穿，反向漏電流迅速增大。手冊中給出反向斷態(tài)峰值電壓VRRM，它與V（BR）的關(guān)系為

VRRM= V（BR）－100V

式中，VRRM、V（BR）均取**值，下同。因此，只要測出V（BO）、V（BR）之值，就進(jìn)一步求出VDRM和VRRM。一般情況下，正、反向斷態(tài)峰值電壓在數(shù)值上基本相等。

測量V（BO）、V（BR）的電路如圖2所示，需使用萬用表和兆歐表各一塊。所選兆歐表的額定電壓應(yīng)為1000～2500V，直流電壓表和量程也應(yīng)在1000～2500V。

實例：測量一只3CT20/500型晶閘管，其正向斷態(tài)峰值電壓VDRM=500V。采用ZC25-4型1000V兆歐表。MF30型萬用表只有500VDC檔，串聯(lián)一只100MW、1W的金屬膜電阻后，量程擴展為2500VDC。若按500VDC檔刻度讀數(shù)，就需要擴大五倍，才是實際電壓值。

按（a）圖接好電路，以120r/min搖兆歐表，使晶閘管正向擊穿，這時萬用表讀數(shù)為150V，故

V（BO）=150×5=750V

VDRM=750－100=650V

再按(b)圖電路使晶閘管反向擊穿，萬用表讀數(shù)為140V，故

V（BO）=140×5=700V

VDRM=700－100=600V

由此可見，VDRM與VRRM比較接近。現(xiàn)在VDRM=650V，高于手冊規(guī)定值，說明該項指標(biāo)留有余量。