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可控硅的結構

       以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因為它的特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T,又因為晶閘管*初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。　

       在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導通和關斷兩種狀態。 　　

       可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用. 　　可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。　　

       可控硅的弱點:靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通. 　　可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形.

粵公網安備 44030602001782號
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